介質(zhì)損耗測(cè)試系統(tǒng)主要性能參數(shù)一覽表

BH916測(cè)試裝置

平板電容極片Φ50mm/Φ38mm

可選頻率范圍20KHz-60MHz/200KHz-160MHz

間距可調(diào)范圍≥15mm 頻率指示誤差3×10-5±1個(gè)字

夾具插頭間距25mm±0.01mm 主電容調(diào)節(jié)范圍30-500/18-220pF

測(cè)微桿分辨率0.001mm 主調(diào)電容誤差<1%或1pF

夾具損耗角正切值≦4×10-4 （1MHz)

Q測(cè)試范圍2～1023

介電常數(shù)測(cè)試儀測(cè)試原理：

基于串聯(lián)諧振原理的《GDAT高頻Q表》是測(cè)試系統(tǒng)的二次儀表，其數(shù)碼化主調(diào)電容器的創(chuàng)新設(shè)計(jì)代表了行業(yè)的zui高成就，隨之帶來(lái)了頻率、電容雙掃描GDAT的全新搜索功能。該表具有*人機(jī)界面，采用LCD液晶屏顯示各測(cè)量因子：Q值、電感L、主調(diào)電容器C、測(cè)試頻率F、諧振趨勢(shì)指針等。高頻信源采用直接數(shù)字合成,測(cè)試頻率10KHz-60MH或200KHz-160MHz，頻率精度高達(dá)1×10-6。國(guó)標(biāo)GB/T1409-2006規(guī)定了用Q表法來(lái)測(cè)定電工材料高頻介質(zhì)損耗角正切值(tanδ)和介電常數(shù)(ε)，把被測(cè)材料作為平板電容的介質(zhì)，與輔助電感等構(gòu)成串聯(lián)諧振因子引入Q表的測(cè)試回路，以獲取zui高的測(cè)試靈敏度。因而Q表法的測(cè)試結(jié)果更真實(shí)地反映了介質(zhì)在高頻工作狀態(tài)下的特征。

全數(shù)字化界面和微機(jī)控制使讀數(shù)清晰穩(wěn)定、操作簡(jiǎn)便。操作者能在任意點(diǎn)頻率或電容值的條件下檢測(cè)
Q值甚至tanδ，無(wú)須關(guān)注量程和換算，*摒棄了傳統(tǒng)Q表依賴(lài)面板上印制的輔助表格操作的落后狀況，它無(wú)疑是電工材料高頻介質(zhì)損耗角正切值(tanδ)和介電常數(shù)(ε)測(cè)量的理想工具

基于串聯(lián)諧振原理的《GDAT高頻Q表》是測(cè)試系統(tǒng)的二次儀表，其數(shù)碼化主調(diào)電容器的創(chuàng)新設(shè)計(jì)代表了行業(yè)的zui高成就，隨之帶來(lái)了頻率、電容雙掃描GDAT的全新搜索功能。該表具有*人機(jī)界面，采用LCD液晶屏顯示各測(cè)量因子：Q值、電感L、主調(diào)電容器C、測(cè)試頻率F、諧振趨勢(shì)指針等。高頻信源采用直接數(shù)字合成,測(cè)試頻率10KHz-60MH或200KHz-160MHz，頻率精度高達(dá)1×10-6。

國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006規(guī)定了用Q表法來(lái)測(cè)定電工材料高頻介質(zhì)損角正切值(tanδ)和介電常數(shù)(ε)，把被測(cè)材料作為平板電容的介質(zhì)，與輔助電感等構(gòu)成串聯(lián)諧振因子引入Q表的測(cè)試回路，以獲取zui高的測(cè)試靈敏度。因而Q表法的測(cè)試結(jié)果更真實(shí)地反映了介質(zhì)在高頻工作狀態(tài)下的特征。

標(biāo)簽：

介電常數(shù)測(cè)試儀

介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀

介質(zhì)損耗因數(shù)測(cè)試儀 

體積表面電阻率測(cè)試儀