介電常數(shù)測(cè)試儀 介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀 GDAT-A

電介質(zhì)是電的絕緣體，它內(nèi)部的自由電荷少到可以忽略的程度。由于分子內(nèi)在力的約束，電介質(zhì)分子中的帶電粒子不能發(fā)生宏觀的位移。然而在外電場(chǎng)的作用下，這些帶電粒子仍然可以有微觀的位移，即電介質(zhì)可以被極化，χe就表示電介質(zhì)的極化率，它反映了電介質(zhì)的性質(zhì)。對(duì)電介質(zhì)中各點(diǎn)的χe都相同，真空中χe=0，而除此之外任何介質(zhì)的χe0。
　　在電容器的兩個(gè)極板之間充入電介質(zhì)，可以使電容器增大，實(shí)用中常利用這種方法增大電容器的電容。兩極板間充滿某種均勻介質(zhì)時(shí)的電容C與極板間為真空時(shí)的電容C0的比值εr=C/C0，εr由電介質(zhì)的性質(zhì)決定，叫做電介質(zhì)的相對(duì)介電常數(shù)（沒有單位）。
　　在有理化米,千克,秒,安培制（MKSA有理制）中，通常引入ε0代替k（k=8.9880×109N·m2·C-2），令k=1/4πε0，則ε0=1/4πk。ε0為真空中的介電常數(shù)，數(shù)值為8.8538×10-12C2·N-1·m-2=8.8538×10-12F·m-1，約為8.85×10-12F·m-1。以平行板電容器為例，C0=ε0S/d，相對(duì)介電常數(shù)εr=C/C0，所以C=εrC0=εrε0S/d。定義ε=εrε0，則ε叫做電介質(zhì)的介電常數(shù)。

介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀特點(diǎn)： 

◎ 本公司創(chuàng)新的自動(dòng)Q值保持技術(shù)，使測(cè)Q分辨率至0.1Q，使tanδ分辨率至0.00005 。

◎ 能對(duì)固體絕緣材料在10kHz～120MHz介質(zhì)損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測(cè)試。

◎ 調(diào)諧回路殘余電感值低至8nH，保證100MHz的(tanδ)和(ε)的誤差較小。

◎ 特制LCD屏菜單式顯示多參數(shù)：Q值，測(cè)試頻率，調(diào)諧狀態(tài)等。

◎ Q值量程自動(dòng)/手動(dòng)量程控制。

◎ DPLL合成發(fā)生1kHz～60MHz, 50kHz～160MHz測(cè)試信號(hào)。獨(dú)立信號(hào)   源輸出口，所以本機(jī)又是一臺(tái)合成信號(hào)源。

◎ 測(cè)試裝置符合國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。

介電常數(shù)和介質(zhì)損耗測(cè)試儀工作頻率范圍是10kHz～120MHz,它能完成工作頻率內(nèi)材料的高頻介質(zhì)損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測(cè)試。

本儀器中測(cè)試裝置是由平板電容器和測(cè)微圓筒線性電容器組成，平板電容器一般用來(lái)夾被測(cè)樣品，配用Q表作為指示儀器。

絕緣材料的損耗角正切值是通過(guò)被測(cè)樣品放入平板電容器和不放樣品的Q值變化和厚度的刻度讀數(shù)通過(guò)公式計(jì)算得到。

同樣，由測(cè)微圓筒線性電容器的電容量讀數(shù)變化，通過(guò)公式計(jì)算得到介電常數(shù)。

介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀主要技術(shù)指標(biāo)：

2.1 tanδ和ε性能：

2.1.1 固體絕緣材料測(cè)試頻率10kHz～120MHz的tanδ和ε變化的測(cè)試。

2.1.2 tanδ和ε測(cè)量范圍：

tanδ：0.1～0.00005，ε：1～50

2.1.3 tanδ和ε測(cè)量精度（1MHz）：

tanδ：±5%±0.00005，ε：±2%

工作頻率范圍：50kHz～50MHz    四位數(shù)顯，壓控振蕩器

Q值測(cè)量范圍：1～1000三位數(shù)顯，±1Q分辨率

可調(diào)電容范圍：40～500 pF  ΔC±3pF

電容測(cè)量誤差：±1%±1pF

Q表殘余電感值：約20nH

介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀裝置：

2.3.1 平板電容器極片尺寸：:Φ38mm和Φ50mm二種.
2.3.2 平板電容器間距可調(diào)范圍和分辨率：0～8mm， ±0.01mm
2.3.3 圓筒電容器線性： 0.33 pF /mm±0.05 pF, 
2.3.4 圓筒電容器可調(diào)范圍：±12.5mm（±4.2pF）
2.3.5 裝置插頭間距：25mm±0.1mm
2.3.6 裝置損耗角正切值:≤2.5×10-4

標(biāo)簽：

介電常數(shù)測(cè)試儀

介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀

介質(zhì)損耗因數(shù)測(cè)試儀

高頻介電常數(shù)測(cè)試儀